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断续模式反激5524.com设计实例

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断续模式反激5524.com设计实例

随着世界范围内对节能和环保的日益重视,使得电源行业对5524.com的工作能效和待机损耗的要求不断增加,本文以15W继续式反激5524.com为研究背景。设计一个完全能量传递反激式5524.com

断续模式的反激5524.com设计,其技术指标如下:
输入电压:41~57VDC;
输出电压:17V;
输出电流:0.8A;
额定效率:ηN≥80%;
开关频率:f=82kHz。

断续模式反激5524.com电路设计
反激5524.com5524.com的电路原理图如图所示。主控芯片采用电流型控制芯片UC3843;输入输出电气隔离;主控芯片UC3843与输入为同一参考,这样便于驱动、电流采样和芯片的启动;电压误差放大器与输出为同一参考,误差放大后的信号由光耦合器隔离传回输入侧;芯片启动以后供电由主电路的一个辅助绕组提供;变压器原边绕组加RCD吸取回路;输出加LED指示灯。

图反激5524.com电路原理图

反激5524.comRCD缓冲器的设计

图是考虑寄生元件时反激式5524.com的结构,这些寄生元件有:原边和副边的漏感Llk1和Llk2,MOSFET输出电容Coss,二次侧二极管结电容Cj。

图带寄生元件的反激式5524.com结构

工作于CCM和DCM下的id、iD和Vds的波形如图12-3所示。当MOSFET关断时,原边电流(id)短时间内给MOSFET的Coss充电,当Coss两端电压Vds超过输入电压与反射电压之和(Vin+nVo)时,二次侧二极管导通,电感Lm两端电压钳于nVo。Llk1和Coss之间会有高频谐振和高的浪涌电压,这个过高的电压会作用于MOSFET,可能会引起MOSFET烧毁。

在CCM下,二次侧二极管保持导通直到MOSFET导通,当MOSFET导通时,二极管的反向恢复电流被加到原边电路上,因此在MOSFET导通瞬间会在原边电路里出现大的浪涌电流;在DCM情况下,一个开关周期结束以前,副边电流已经降到0,Lm和MOSFET的Coss之间发生谐振。
Llk1与Coss谐振时会产生过高电压,应该用缓冲电路来吸取这一电压过冲,使开关管得到保护。

需要提醒读者,反激5524.com的优化设计是一个具有多个相互联系的自变量的复杂数学模型,目前本文所阐述的优化设计方法也只是在假设一些变量固定的基础上进行的,因此,本课题的优化设计结果并非最优结果。只是在一定的范围内的最优化设计

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| 发布时间:2019.07.08    来源:5524.com厂家
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