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考虑图中Q2处于即将导通时(在驱动波形的t点上)的初始条件。在这个瞬间,门电路U的输入端1为高电平,这就为Q2的导通做好了准备。由于存在Q1存储时间,所以Q1仍保持导通,其集电极电压为低,使U3的输入端2为低。结果,U3的输出端的输出为低,Q2延迟导通,一直到Q1的集电极电压变为高。在Q1完全关断后,存储时间结束,Q2才会导通,就可以防止交叉导通。只有在Q1完全关断后Q2才会导通,相同的工作过程也会发生在U2上,在Q2完全关断后Q1才会导通。

值得注意的是:这两个与门的工作是一个自调整过程,它可适用于两个开关器件的存储时间变化的场合。因为是动态调整过程,容许完全导通角,也就完全免除了交叉导通。

从原理上来讲,上面所述的技术可以应用到半桥和全桥变换器中。但是由于半桥或全桥驱动电路中开关器件之间没有公共端,驱动电路稍显复杂。Q和Q集电极的电压摆幅经常超过控制电路的电压额定值,需要某种形式的电压钳位电路。此例中,齐纳二极管ZD1和ZD2提供了所需的钳位作用。

不是所有的控制IC都提供所需要的禁止输入端,这种功能也可以由外部提供给IC否则的话,就必须提供死区时间。

交叉耦合禁止技术的主要优点是将脉冲宽度控制范围从0扩展到100%,同时在遇到交叉导通问题时保持了信号的完整性。大家不应该忽略这些优点。

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| 发布时间:2018.09.15    来源:www.5524.com厂家
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